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sti locos
【先前技術】.在目前半導體製程中,一般採用區域氧化法(localizedoxidationisolation,LOCOS)或是淺溝隔離(shallowtrenchisolation,STI)方法來.進行元件之間的隔離 ...,淺溝槽絕緣(STI).▫LOCOS和PBL運作地很好當圖形尺寸>0.5μm時.▫當圖形尺寸
淺溝渠元件隔離技術現況與挑戰
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本文將探討STI製.程中CMP相關的問題。STI製程中化學機械研磨.技術挑戰.相較於傳統LOCOS製程,STI製.程較為繁複及不易控制,如圖一所.示。其中包括墊氧化層成長及氮化 ...
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